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型号 NDS356AP
厂商 Fairchild Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
NDS356AP PDF
代理商 NDS356AP
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
产品变化通告 Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图 SuperSOT-3, SOT-23
标准包装 1
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 200 毫欧 @ 1.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 4.4nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 280pF @ 10V
功率 - 最大 460mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 3-SSOT
包装 标准包装
产品目录页面 1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 NDS356APDKR
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